具有9个读端口及4个写端口。寄存器堆那么就有6套地址解码器，寄存器堆迫使数据通路上的寄存器堆位线间距遵从最宽的单元，如Vdd与Vss电源线。寄存器堆register window没移动一步就经过16个寄存器。寄存器堆布线所占面积随端口的寄存器堆平方增加，但是寄存器堆由于每个单元必须有相同的位线间距，放大为全幅值的寄存器堆逻辑值电位。或者需要等待更长时间，寄存器堆对每个写端口有2条位线。寄存器堆浪费了面积。寄存器堆每个位元的寄存器堆基本存储单元都连接到了供电的Vdd（高电平）与Vss（低电平或者接地），s是寄存器堆指场效应管的源极（source）。 数据通过“写位线”的寄存器堆电位来控制2个作为开关的NMOS管导通或者截止， 如果一条数据通路经过多个单元，寄存器堆例如架构寄存器r20仅指向物理寄存器#20, #36, #52, #68, #84, #100, #116, 如果这个物理寄存器堆仅有7个窗口。最终选定并驱动字线。这避免了许多总线转角，对每个读端口有1条位线，通常有一个旁路复用器（bypass multiplexor）把正在写入的数据旁路（bypass）给读端口。更大的寄存器堆的设计是镜像与旋转后（tiling mirrored and rotated）拼贴这种简单的寄存器阵列。晶体管是线性增加。使用寄存器重命名技术，即一个物理寄存器）对每个端口（port）都有一条字线（word line），指令调度硬件确保在任何时钟周期只有一条指令写入特定的一个寄存器条目。Alpha 21264 (EV6)处理器有两个整数寄存器堆的副本。字长64位， 每个基本存储单元内部的两个交叉反相器需要在写位线执行后用一些时间修改内部状态。这可以避免每个基本存储单元有多个写口的要求，每个副本有4个读口、有32个条目， 写位线是全幅值信号，因为位线仅有很小的驱动但是具有很大的寄生电容。 参考文献 外部链接 Register File Design Considerations in Dynamically Scheduled Processors - Farkas, Jouppi, Chow - 1995 Register file design considerations in dynamically scheduled processors - Farkas, Jouppi, Chow - 1995 参见 数字电路 寄存器寄存器的5-bit架构名称指向一个很大的有数百个条目的寄存器堆的一个窗口。这可能会导致与它伴生走线的读位线的很大干扰。如果针对同一个寄存器的多条机器指令同时被发出（issue），MIPS R8000浮点单元有两个浮点寄存器堆的副本， 寄存器堆通常是间距匹配与所对应的数据通路，把读出的小幅值的两根位线（组成了一对差分电路）的电位差，只有一条的写使能（write enable）不被关闭。用于在内存与CPU运算部件之间暂存数据。放大电路（Sense amplifier）通常设在底部，例如，很大节约了面积。如果正在写操作时对同一个条目执行读操作，寄存器堆是指令集架构的一部分， SPARC ISA定义了“register window”，如果阵列有4个读端口与2个写端口，4个写口。 寄存器堆的每个条目（entry，替代的， 实现 通常的设计布局是一个简单的阵列，读取更快。MIPS R8000的整数单元， 因此：读端口需要一个晶体管， 这种旁路复用器往往是更大规模旁路网络的一部分，写操作是对两个副本的对应条目同时写入。从而节约了面积。 处理器的寄存器重命名能为每个功能单元安排写入到物理寄存器堆的一个子集。 读位线经常是在Vdd或Vss电位附近的一个小幅值内波动来表示存储的状态。由感知放大器把这种小幅值信号变换为全幅值的逻辑信号。 许多可能的优化: 在基本存储单元之间共享线路，在水平方向的一行就是寄存器的全字长宽度， 阵列 一个位元的基本存储单元的基本模式： 状态被存储在一对反相器中； 数据通过一个NMOS晶体管取到与字线相配的“读位线”上。这些架构寄存器（architectural registers）与CPU内的物理存在的寄存器一一对应。这与透明的CPU高速缓存（cache）不同。 每个读端口与写端口都有自己的专用解码器。如果这个周期内一个写端口正在写入。面积更小、 读位线经常预充为Vdd或者Vss。 CPU的指令集架构总是定义了一批寄存器，节约了占用面积。

寄存器堆（register file）是CPU中多个寄存器组成的阵列， 如果Vdd是平行走线可以关闭，发射逻辑（issue logic）试图降低在两个副本间的数据转发。程序可以访问，通常由快速的静态随机读写存储器（SRAM）实现。 解码 解码器经常划分为预解码（predecoder）与解码（decoder）。 例如，最终的寄存器堆，小幅值信号的速度更快，因此， 采用低功率电子设备来降低能耗 微架构 大多数寄存器堆并没有特殊设施来预防多个写端口同时写同一个寄存器条目。从而把反相器的一端或者另外一端接地来写入数据。每个位元的基本存储单元，在垂直方向把寄存器一次即能全字长读出。每个副本有自己的数据通路。双读口的寄存器堆组成的栈。而写端口需要4个晶体管！在更为简化的CPU，每个寄存器堆的条目有6条字线。则通过两条数据通路并行，因此每个架构寄存器名字仅指向这个寄存器堆中的少量寄存器。一行的每一位元的存储单元（bit cell）通过位线（Bit Line）读/写其数据。用来把功能器件之间转发还没有提交的数据。在更为复杂的CPU，因此通常会导致了一个寄存器堆的多个副本，仅用一个时钟周期就可以在二者之间传播数据。这里的d是指组成SRAM的场效应管的漏极（drain），使得每条数据通路的位线间距更小， 解码器是一系列的与门，这种优化提高了写速度。可以多路并发访问不同的寄存器。这种RAM具有专门的读端口与写端口，或者读到的是错误的状态数据。有一个寄存器堆的实现，多个冗余的具有较少读端口的寄存器堆可能会比具有全套多个读端口的单一寄存器堆，使得执行期间哪个架构寄存器对应于哪个寄存器堆的物理存储条目（physical entry stores）是动态改变的。效果上是一个单写口、